「学会発表」カテゴリーアーカイブ

　2018年11月5日～11月7日、オーストラリア連邦アデレード アデレード国際会議場で開催されたThe 4^th International Conference for Young Researchers on Advanced Materials (ICYRAM 2018)にて、松田講師が以下のテーマについて招待講演を行いました。
 
　ICYRAMは15ヶ国以上から先進材料に係わる40歳程度までの若手研究者を対象として開催されることを特徴とする、先端材料の国際的かつ学際的な研究を促進する会議です。 材料の学術研究に係わる国際組織IUMRS (International Union of Materials Research Society)が主催し、第4回の開催となりました。
　この研究講演は、スズキ財団「平成30年度研究者海外研修助成」を受けて行われました。

松田	Atomic-scale flattened/patterned flexible substrates for nanomaterials formation

2018年9月18日～9月21日、名古屋国際会議場で開催された第79回 応用物理学会 秋季学術講演会にて、社会人D2 丸、M2 池谷・伊藤・岩佐・山田、およびM1 森田・大賀・堀松・中西が研究発表をしました。

丸	微細半導体プロセスにおける宇宙空間シングルイベント耐性強化技術の検討 (2) （18p-225A-3 / 丸・松田・吉本）
池谷	岩塩型Ni1-XFeXO薄膜の室温エピタキシャル成長と特性評価 （19p-PB8-11 / 池谷・土嶺・金子・S. Okkyun・坂田・松田・吉本）
伊藤	一軸加圧下熱処理による層状Li-Ni系エピタキシャル薄膜の構造制御 （19p-PB8-23 / 伊藤・堀松・土嶺・金子・松田・吉本）
岩佐	周期的ナノパターン表面を有するポリマー基板上への酸化物半導体薄膜の作製と電気特性評価 （19p-234A-9 / 岩佐・大賀・土嶺・金子・松田・吉本）
山田	0.3 nm高さの直線状原子ステップを有するPMMA及びポリイミドシートにおける光化学反応および成膜による表面特性の制御 （19p-231C-2 / 山田・岩佐・大賀・金子・松田・吉本）
森田	Ga2O3アモルファスGa2O3薄膜のエキシマレーザー照射による室温固相エピタキシーにおける作製因子の検討 （20p-234A-5 / 森田・大賀・土嶺・金子・松田・吉本）
大賀	Ga2O3紫外エキシマ光／レーザー照射によるβ-Ga2O3薄膜の室温固相結晶化プロセスの検討 （18p-PA2-8 / 大賀・森田・池谷・土嶺・金子・松田・吉本）
堀松	Ga2O3一軸加圧下熱処理による層状La-Ni-O系薄膜の作製及び構造と特性評価 （18p-PA2-6 / 堀松・伊藤・難波・土嶺・金子・松田・吉本）
中西	Ga2O3PLD法による酸化バナジウム系アモルファス薄膜の作製と熱電特性評価 （19a-231A-2 / 中西・岩佐・金子・木村・松田・吉本）

2018年9月5日～9月7日、名古屋工業大学で開催された日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウムにてM1 森田が研究発表してきました。

森田	UV光励起を使ったワイドギャップβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の室温合成 （2PQ02 / 森田・大賀・土嶺・金子・松田・吉本）

2018年6月27日～6月29日、米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校で開催された第60回 電子材料会議(60th Electronic Materials Conference; EMC)にて松田講師が研究講演をしました。

松田	Development and Thermoelectric Properties of Vanadate Oxide- System Amorphous Thin Films （PS31 / A. Matsuda, Y. Fujimoto, S. Kaneko, Y. Kimura, and M. Yoshimoto）
松田	Physicochemical Effect of Buffer Layer on β-Ga2O3 Solid-Phase Epitaxy by Excimer Laser Annealing （PS32 / A. Matsuda, K. Nakamura, H. Morita, N. Tsuchimine, O. Sakata, S. Kaneko, and M. Yoshimoto）

2018年3月17日～3月20日、早稲田大学 西早稲田キャンパスで開催された第65回 応用物理学会 春季学術講演会にて、社会人D1 丸、M1 池谷・伊藤・岩佐・山田、およびB4 森田が研究発表をしました。

丸	微細半導体プロセスにおけるシングルイベント耐性強化技術の検討 （18p-F202-15 / 丸・松田・吉本）
池谷	岩塩型Ni0.5Fe0.5O(111)薄膜の室温エピタキシャル成長におけるPLD成膜条件の影響と特性評価 （19p-P11-25 / 池谷・藤元・土嶺・金子・宇佐見・谷山・松田・吉本）
伊藤	一軸加圧下熱処理によるBi2VO5+δ薄膜の配向性固相結晶化と特性評価 （19p-P6-7 / 伊藤・難波・三村・金子・舟窪・松田・吉本）
岩佐	原子ステップ型超平坦ポリマー基板上でのフレキシブル酸化物p/n薄膜の作製と特性評価 （17p-C103-13 / 岩佐・木下・中村・金子・松田・吉本）
山田	原子ステップを有するポリマーシートへの超平坦導電性薄膜の作製 （20p-B401-9 / 山田・後藤・木下・中村・金子・松田・吉本）
森田	Ga2O3薄膜の室温下レーザー照射固相エピタキシーにおける膜厚や緩衝層の影響 （19p-P11-14 / 森田・中村・土嶺・金子・松田・吉本）