2018年9月18日～9月21日、名古屋国際会議場で開催された第79回 応用物理学会 秋季学術講演会にて、社会人D2 丸、M2 池谷・伊藤・岩佐・山田、およびM1 森田・大賀・堀松・中西が研究発表をしました。
| 丸 | 微細半導体プロセスにおける宇宙空間シングルイベント耐性強化技術の検討 (2)（18p-225A-3 / 丸・松田・吉本） |
| 池谷 | 岩塩型Ni1-XFeXO薄膜の室温エピタキシャル成長と特性評価（19p-PB8-11 / 池谷・土嶺・金子・S. Okkyun・坂田・松田・吉本） |
| 伊藤 | 一軸加圧下熱処理による層状Li-Ni系エピタキシャル薄膜の構造制御（19p-PB8-23 / 伊藤・堀松・土嶺・金子・松田・吉本） |
| 岩佐 | 周期的ナノパターン表面を有するポリマー基板上への酸化物半導体薄膜の作製と電気特性評価（19p-234A-9 / 岩佐・大賀・土嶺・金子・松田・吉本） |
| 山田 | 0.3 nm高さの直線状原子ステップを有するPMMA及びポリイミドシートにおける光化学反応および成膜による表面特性の制御（19p-231C-2 / 山田・岩佐・大賀・金子・松田・吉本） |
| 森田 | Ga2O3アモルファスGa2O3薄膜のエキシマレーザー照射による室温固相エピタキシーにおける作製因子の検討（20p-234A-5 / 森田・大賀・土嶺・金子・松田・吉本） |
| 大賀 | Ga2O3紫外エキシマ光／レーザー照射によるβ-Ga2O3薄膜の室温固相結晶化プロセスの検討（18p-PA2-8 / 大賀・森田・池谷・土嶺・金子・松田・吉本） |
| 堀松 | Ga2O3一軸加圧下熱処理による層状La-Ni-O系薄膜の作製及び構造と特性評価（18p-PA2-6 / 堀松・伊藤・難波・土嶺・金子・松田・吉本） |
| 中西 | Ga2O3PLD法による酸化バナジウム系アモルファス薄膜の作製と熱電特性評価（19a-231A-2 / 中西・岩佐・金子・木村・松田・吉本） |
