第53回 応用物理学関係連合会

投稿日: 2006年3月28日 作成者: admin
3/22～3/26、武蔵工業大学で開催された第53回 応用物理学関係連合会において、M1 大高、M1 笠原、およびM1 辻がポスター講演を行いました。
大高レーザーMBE法による酸素ドープTiN系エピタキシャル薄膜の作製と光・電気特性
笠原原子ステップを有する酸化物単結晶基板を用いたナノ構造の形成
辻レーザープロセスによるSi過剰SiOx系新規半導体の作製と可視発光特性
カテゴリー: 学会発表 パーマリンク