福田 | Room-temperature solid-phase epitaxial growth of β-Ga2O3 thin films on NiO-buffered sapphire (0001) substrates by KrF excimer laser annealing(E34 / 塩尻・福田・土嶺・小山・金子・松田・吉本) |
第1回 酸化ガリウム関連材料国際会議:IWGO2015(D3 塩尻)
2015年11月3日~11月6日、京都大学 桂キャンパス ローム記念館で開催されたThe 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO2015)にて、博士(D3) 塩尻が研究発表してきました。