「Hot News」カテゴリーアーカイブ

　2018年11月25日～11月30日、米国ボストンで開催されたMaterials Research Society(米国材料学会)において松田講師が以下のテーマについて研究発表を行いました。
　MRSは、エレクトロニクス・エネルギーからバイオ・医療まで広い分野に関連する材料の研究者と技術者が世界中から集まる国際会議です。多くの研究者と有意義な議論を行うことができました。
　この研究講演は、日本科学財団「2018年度海外発表促進助成」を受けて行われました。

松田	Solid-Phase Heteroepitaxy and Synchrotron Radiation Analyses of β-Ga2O3 Thin Films Fabricated by Room-Temperature Laser Processes （EP08.10.07 / A. Matsuda, H. Morita, T. Oga, Y. Chen, O. Seo, O.Sakata, N. Tsuchimine, S. Kaneko, M. Yoshimoto）

　2018年11月5日～11月7日、オーストラリア連邦アデレード アデレード国際会議場で開催されたThe 4^th International Conference for Young Researchers on Advanced Materials (ICYRAM 2018)にて、松田講師が以下のテーマについて招待講演を行いました。
 
　ICYRAMは15ヶ国以上から先進材料に係わる40歳程度までの若手研究者を対象として開催されることを特徴とする、先端材料の国際的かつ学際的な研究を促進する会議です。 材料の学術研究に係わる国際組織IUMRS (International Union of Materials Research Society)が主催し、第4回の開催となりました。
　この研究講演は、スズキ財団「平成30年度研究者海外研修助成」を受けて行われました。

松田	Atomic-scale flattened/patterned flexible substrates for nanomaterials formation

2018年9月18日～9月21日、名古屋国際会議場で開催された第79回 応用物理学会 秋季学術講演会にて、社会人D2 丸、M2 池谷・伊藤・岩佐・山田、およびM1 森田・大賀・堀松・中西が研究発表をしました。

丸	微細半導体プロセスにおける宇宙空間シングルイベント耐性強化技術の検討 (2) （18p-225A-3 / 丸・松田・吉本）
池谷	岩塩型Ni1-XFeXO薄膜の室温エピタキシャル成長と特性評価 （19p-PB8-11 / 池谷・土嶺・金子・S. Okkyun・坂田・松田・吉本）
伊藤	一軸加圧下熱処理による層状Li-Ni系エピタキシャル薄膜の構造制御 （19p-PB8-23 / 伊藤・堀松・土嶺・金子・松田・吉本）
岩佐	周期的ナノパターン表面を有するポリマー基板上への酸化物半導体薄膜の作製と電気特性評価 （19p-234A-9 / 岩佐・大賀・土嶺・金子・松田・吉本）
山田	0.3 nm高さの直線状原子ステップを有するPMMA及びポリイミドシートにおける光化学反応および成膜による表面特性の制御 （19p-231C-2 / 山田・岩佐・大賀・金子・松田・吉本）
森田	Ga2O3アモルファスGa2O3薄膜のエキシマレーザー照射による室温固相エピタキシーにおける作製因子の検討 （20p-234A-5 / 森田・大賀・土嶺・金子・松田・吉本）
大賀	Ga2O3紫外エキシマ光／レーザー照射によるβ-Ga2O3薄膜の室温固相結晶化プロセスの検討 （18p-PA2-8 / 大賀・森田・池谷・土嶺・金子・松田・吉本）
堀松	Ga2O3一軸加圧下熱処理による層状La-Ni-O系薄膜の作製及び構造と特性評価 （18p-PA2-6 / 堀松・伊藤・難波・土嶺・金子・松田・吉本）
中西	Ga2O3PLD法による酸化バナジウム系アモルファス薄膜の作製と熱電特性評価 （19a-231A-2 / 中西・岩佐・金子・木村・松田・吉本）