実験装置 > 熱処理炉

原子ステップ基板作製炉
原子ステップ基板作製炉
Muffle furnace for ultrasmooth substrate preparation
原子レベルで平坦なテラスと原子ステップを有する超平坦サファイア基板の作製を行います。Heatrex Inc。最高使用温度 1500°C、雰囲気 大気中のみ可。
小型真空雰囲気炉
小型真空雰囲気炉
Vacuum Furnace
酸素や水に敏感な試料を非酸化性の雰囲気において焼成、熱処理を行います。モトヤマ社 HV-13C。通常運転で10−5–10−7Pa程度の高真空下での熱処理を実施。必要に応じてArガス中での熱処理も可能。
マッフル電気炉
マッフル電気炉
Muffle furnace
薄膜試料のポストアニールや、表面周期構造の自己組織化を行います。いすゞ製作所 MRH-21UH。最高使用温度 1500°C、雰囲気 大気中のみ可。ターゲットの合成・焼成にも使用します。
赤外線集光加熱炉
赤外線集光加熱炉
Near-Infrared Lamp Heating System
試料の急速熱アニール(RTA; Rapid Thermal Annealing)を行います。アルバック理工社 MILA-3000-P-N。最高熱処理温度 1200°C、最高昇温速度 50°C/sec、均熱範囲 ~20x20x5mm、雰囲気 大気中のみ可。
電気炉
電気炉
Electric furnace
薄膜・バルク試料のポストアニール、そのほか一般的な熱処理に使用します。日陶科学 NHK-170。最高使用温度 1300°C、雰囲気 大気中のみ可。
上蓋式電気炉
上蓋式電気炉
Top loading furnace
熱ナノインプリントなど、一軸加圧アニールの予備試験を行います。TEP社 TS-0019。最高使用温度 1000°C、雰囲気 大気中のみ可。本装置と独自の酸化物自己組織化モールドを用いて、様々な非晶質材料へのナノインプリントを行っています。