「学会発表」カテゴリーアーカイブ

2017年8月27日～9月1日、京都大学 吉田キャンパス（京都府京都市）で開催されたInternational Union of Materials Research Society – The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)にて、講師 松田が講演しました。 IUMRSはアジア・欧州・オセアニア・南米の10以上の材料学会が連携した、材料に係わる科学・技術の発展を国際学術機関です。

松田	Room-Temperature Epitaxy of Heavily Fe-doped Nickel Oxide Thin Films （A4-O31-006 / A. Matsuda, S. Takano, S. Kaneko, and M. Yoshimotoo）
松田	Development of Vanadium Oxide Glass-Based Thermoelectric Films （D4-O31-004 / A. Matsuda, Y. Fujimoto, S. Kaneko, and M. Yoshimoto）

　2017年4月19日～4月21日、奈良県奈良市 東大寺総合文化センターで開催されたIMAPS/ACerS 13^th International Conference and Exhibition on Ceramic Interconnect and Ceramic Microsystems Technologies (CICMT 2017)において松田講師が以下のテーマについて研究発表を行いました。
　CICMTはマイクロエレクトロニクス産業の国際組織、および米国セラミックス学会が世界各地で開催する、電子セラミックスを軸として基板要素技術からエンジニアリングと応用まで講演・議論される国際会議です。

松田	Buffer-layer Enhanced Heteroepitaxy of Wide-bandgap Semiconductor Thin Films by Room-temperature Laser Processing （2-F04-IN / A. Matsuda, and M. Yoshimoto）

2017年3月14日～3月17日、パシフィコ横浜（神奈川県横浜市）で開催された第64回 応用物理学会 秋季学術講演会にて、M1 後藤、難波、木下、藤元、中村が研究発表をしました。

後藤	熱ナノインプリント作製した金ナノ粒子コート超平坦フレキシブル基板 （15a-423-3 / 後藤・嶋田・金子・松田・吉本）
難波	一軸加圧下熱処理によるMoOX薄膜の結晶相制御と特性評価 （15a-P5-2 / 難波・土嶺・金子・松田・吉本）
木下	マイカモールドを用いた熱ナノインプリント法によるポリマー表面上ナノパターン形成 （15p-512-7 / 木下・嶋田・金子・松田・吉本）
藤元	PLD法によるV2O5-Bi2O3-WO3系ガラス薄膜の作製と光学・電気特性評価 （15p-311-5 / 藤元・高野・金子・松田・吉本）
中村	室温レーザーアニールにより作製されたβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の配向性制御 （14a-502-4 / 中村・内田・土嶺・金子・松田・吉本）

2017年2月17日～2月20日、沖縄県 那覇市の沖縄県市町村自治会館で開催されたThe 18^th International Symposium on Eco-materials Processing and Design (ISEPD 2017)にて、講師 松田が招待講演しました。
ISEPDは環境適応型材料や技術を広く扱う学術会議で、日本、中国、韓国、台湾を中心に多くの研究者と技術者が集まりました。

松田	Room-temperature epitaxy of wide bandgap oxide semiconductors （AI2-11 / A. Matsuda and M. Yoshimoto）

　2016年12月19日～12月22日、横浜市開港記念館および横浜情報文化センター他で開催された第26回日本MRS年次大会 (The 26th annual meeting of MRS-J)の国際セッションにおいて松田講師が以下のテーマについて研究発表を行いました。
　日本MRS (MRS-J)は、日本における材料科学・工学分野の研究開発を推し進める学会組織です。年次大会では海外からもエレクトロニクス・エネルギーからバイオ・医療まで広い分野に関連する材料の研究者と技術者が集まります。

松田	Buffer-induced room-temperature epitaxy of β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing （A3-O20-003 / A. Matsuda, D. Shiojiri, H. Uchida, K.Nakamura, N. Tsuchimine, S. Kaneko, and M. Yoshimoto）