研究業績」カテゴリーアーカイブ

東工大クロニクルに掲載されました

吉本研の研究方針と特徴を書いた記事が、東工大月刊広報誌2002年9月号に掲載されました。
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佐々木君(D1)、田代君(OB)、応用物理学会 講演奨励賞受賞

D1の佐々木と2002年3月卒業の田代が、第63回 応用物理学会 学術講演会において、講演奨励賞を受賞しました。
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第63回 応用物理学会 学術講演会

2002年9月24~27日、新潟大学で開催された第63回 応用物理学会 学術講演会において、 学生全員が研究発表をしました。
佐々木電子ビーム誘起選択成長を利用した機能性薄膜の面内パターン形成
秋葉MEMS応用のための酸化物ナノ薄膜ガラスのナノスケール軟化挙動と表面構造制御
山本酸素中における遷移金属含有固体有機物ターゲットのレーザーアブレーション
伊佐電子ビームアシストPLD法による酸化物薄膜の選択エピタキシャル成長と面内パターン形成
PLD法による電子誘起選択成長を利用した窒化物薄膜の面内パターン形成
會田SiO/CをターゲットとしたPLD法によるSi-O-C系薄膜の作製
佐藤PLD法による超平坦ITO薄膜の作製
松田超平坦サファイア基板上におけるNiOナノ構造の構築
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研究成果を新聞発表しました

当研究室の特徴であるレーザーMBE法で、太陽電池用電極として通常法と同等の効率の得られる透明導電性単結晶膜を、室温でSi上に作製した事が評価され、日刊工業新聞(2002/7/4)に掲載されました。
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平成13年度 修士論文発表会

2002年2月22日、修士2年の佐々木、田代および中島が修士論文発表を行いました。
佐々木レーザーMBE法による酸化物原子層制御とエピタキシャル成長のイオン散乱分光その場解析
田代Si上オールエピタキシャルMIS構造(Si/CeO2/透明導電酸化物)の室温形成と光電特性
中島遷移金属含有グラファイトの酸素中レーザーアブレーションと炭素系ナノ構造の作製
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